隨著微電子工業的迅猛發展，大規模、超大規模集成電路對封裝材料的要求也越來越高，不僅要求對其超細，而且要求其有高純度、低放射性元素含量，特別是對于顆粒形狀提出了球形化要求。硅微粉廠家生產的高純超細熔融球形石英粉（簡稱球形硅微粉）由于其有高介電、高耐熱、高耐濕、高填充量、低膨脹、低應力、低雜質、低摩擦系數等優越性能，在大規模、超大規模集成電路的基板和封裝料中，成了不可缺少的材料。

 為什么要球形化？首先，球的表面流動性好，與樹脂攪拌成膜均勻，樹脂添加量小，并且流動性好，粉的填充量可達到很高，重量比可達90.5%，因此，球形化意味著硅微粉填充率的增加，硅微粉的填充率越高，其熱膨脹系數就越小，導熱系數也越低，就越接近單晶硅的熱膨脹系數，由此生產的電子元器件的使用性能也越好。其次，球形化制成的塑封料應力集中小，強度高，當角形粉的塑封料應力集中為1時，球形粉的應力僅為0.6，因此，球形粉塑封料封裝集成電路芯片時，成品率高，并且運輸、安裝、使用過程中不易產生機械損傷。其三，球形粉摩擦系數小，對模具的磨損小，使模具的使用壽命長，與角形粉的相比，可以提高模具的使用壽命達一倍，塑封料的封裝模具價格很高，有的還需要進口，這一點對封裝廠降低成本，提高經濟效益也很重要。

球形硅微粉，主要用于大規模和超大規模集成電路的封裝上，根據集程度（每塊集成電路標準元件的數量）確定是否球形硅微粉，當集程度為1M到4M時，已經部分使用球形粉，8M到16M集程度時，已經全部使用球形粉。250M集程度時，集成電路的線寬為0.25μm，當1G集程度時，集成電路的線寬已經小到0.18μm，目前計算機PⅣ 處理器的CPU芯片，就達到了這樣的水平。主要使用多晶硅的下腳料制成正硅酸乙脂與四氯化硅水解得到SiO2，也制成球形其顆粒度為 -（10～20）μm可調。這種用化學法合成的球形硅微粉比用天然的石英原料制成的球形粉要貴10倍，其原因是這種粉基本沒有放射性α射線污染，可做到0.02PPb以下的鈾含量。當集程度大時，由于超大規模集成電路間的導線間距非常小，封裝料放射性大時集成電路工作時會產生源誤差，會使超大規模集成電路工作時可靠性受到影響，因而須對放射性提出嚴格要求。而天然石英原料達到(0.2～0.4) PPb就為好的原料?，F在國內使用的球形粉主要是天然原料制成的球形粉，并且也是進口粉。

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